Samsung показала экспериментальную NAND-память, которая почти не тратит энергию, но остаётся такой же ёмкой, как топовые современные чипы.
Что сделали
В Samsung Advanced Institute of Technology собрали новую архитектуру NAND на базе ферроэлектрических транзисторов (FeFET). Это смесь сегнетоэлектриков и оксидных полупроводников.
Результат — цепочка ячеек потребляет до 96% меньше энергии, чем обычная NAND, но при этом сохраняет плотность до 5 бит на ячейку, как у самых продвинутых флеш-чипов.
Зачем это нужно
Классическая NAND растёт в количестве слоёв, но вместе с этим растут и энергозатраты — сигналу приходится продираться через длинные последовательные цепочки. FeFET-подход устраняет этот конфликт: высокая ёмкость остаётся, а потребление падает.
В опубликованной в Nature работе показано, что технология работает и в 3D-структуре с каналом около 25 нм — то есть подходит для современных многоуровневых стеков.
Где пригодится
После выхода в коммерцию такая память может заметно снизить энергопотребление хранилищ в ИИ-дата-центрах и уменьшить нагрев. А в мобильных устройствах даст более долгую работу от батареи при росте объёмов данных.
